主题：东芝24nm闪存技术投产,单颗容量达8GB
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东芝近日宣布了全新的24nm制造工艺NAND闪存技术已经正式投产，24nm制造工艺NAND闪存技术也是目前业内最先进的技术。东芝方面表示，新的24nm制造工艺能够制造全球最小存储密度最高的2bit/cell MLC NAND闪存芯片，其单颗容量可达64Gb，也就是说单颗容量能够达到8GB。
东芝24nm闪存技术投产单颗容量达8GB 另外东芝24nm制造工艺将制造3bit/cell闪存芯片和制造32Gb（4GB）单颗容量的NAND闪存芯片。东芝方面同时表示，在24nm制造工艺进一步缩小、生产效率提升、获得更高存储密度的同时还将获得Toggle DDR接口规范的支持，这将使得数据传输速度提升。
东芝24nm闪存技术投产单颗容量达8GB 另外东芝24nm制造工艺将制造3bit/cell闪存芯片和制造32Gb（4GB）单颗容量的NAND闪存芯片。东芝方面同时表示，在24nm制造工艺进一步缩小、生产效率提升、获得更高存储密度的同时还将获得Toggle DDR接口规范的支持，这将使得数据传输速度提升。
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